主要技术特点

• 专为SiC高温氧化设计，最高工作温度1650℃，支持长时间高温氧化运行
• 4区独立控温，恒温区长度400~800mm，温场均匀性优异
• 支持干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、水汽氧化等多种氧化模式
• 配备高精度水汽发生系统，水汽浓度精确可控，氧化层生长速率稳定
• 双层石英管/SiC管结构，内管保证层流气流，外管保证安全密封
• 氧化前/后原位退火功能，可在同一炉管内完成氧化+退火工艺，减少晶圆污染
• 支持H₂、N₂、O₂、Ar等多种工艺气体，配备尾气处理与安全联锁系统
• 全自动舟传送系统，支持悬臂桨自动进出舟，减少人工操作与颗粒污染

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶圆尺寸	4英寸、6英寸、8英寸
工艺温度范围	600-1650℃
常用氧化温度	1100-1500℃（SiC）
控温精度	±0.1℃
恒温区温度均匀性	≤±1℃/1000mm
氧化层厚度均匀性	片内≤±2%，片间≤±3%，批间≤±3%
氧化层击穿电场	≥10MV/cm（SiO₂/SiC）
单批处理量	50~150片/批（6英寸），50片/批（4英寸）
升温速率	0.1-20℃/min，可编程
气体路数	6-8路MFC控制，精度±1%F.S.
颗粒污染	≥0.2μm颗粒≤20颗/片
金属污染	≤5×10¹⁰atoms/cm²