主要技术特点

• 采用 VGF/（+VB）工艺路线，固液界面平坦，晶体热应力小，位错密度显著低于 LEC 法产品
• 6 区独立精密控温，控温精度±0.1℃，轴向温度梯度精确可调（5-15℃/cm）
• 高压炉体设计，最高工作压力 4.0MPa，配备动态压力平衡系统，精确控制磷蒸气压
• 采用 PBN 坩与氧化硼液封技术，有效抑制熔体污染与孪晶产生
• 坩埚升降机构采用伺服直驱，转速精度±0.1rpm，位移重复精度≤5μm
• 配备高精度 R 型热偶对晶体生长实时观察系统，可全程监控生长界面状态
• PLC+ 工控机双层控制系统，支持全自动工艺运行，工艺数据可追溯存储

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶体尺寸	4 英寸、6 英寸 InP 单晶
最高工作温度	1280℃
控温精度	±0.1℃
温区数量	6 区独立控温
最高工作压力	4.0MPa（氮气/氩气气氛）
压力控制精度	±0.01MPa
极限真空度	≤5×10⁴Pa
晶体位错密度（EPD）	≤5000cm⁻²（4 英寸 Fe 掺杂 InP）
单晶良品利用率	≥75%（4 英寸标准工艺）
单炉产量	4 英寸：≥5kg/炉；6 英寸：≥10kg/炉