主要技术特点

• 水平式双温区设计，低温区控制磷蒸发温度，高温区控制合成反应温度
• 高压不锈钢腔体与石英安瓿双重密封，配备氢氧焰石英封管工位
• 程序升温控制，合成过程全自动运行，避免爆管与原料氧化
• 配备高纯气体净化系统，反应环境水氧含量≤1ppm
• 合成完成后支持原位定向凝固，直接制备可用于单晶生长的多晶锭

核心性能指标

参数项	技术指标
合成方法	气相输运直接合成法
最高温度	1280℃
高温区控温精度	±0.2℃
低温区控温范围	400-600℃，精度±0.2℃
最高压力	10.0MPa
单炉合成量	4~6kg
多晶纯度	≥99.9999%（6N）
化学计量比偏差	In/P ≤ 0.1%
合成周期	72-96 小时/炉
载流子浓度	n 型 ≤ 5×10¹⁵cm⁻³（未掺杂）