主要技术特点

• 立式炉管型：采用多区电阻加热，恒温区长度长，适合批量晶圆退火处理
• 支持氮气、氩气、氢气、砷烷/磷烷保护气氛、forming gas 等多种工艺气氛
• SiC 工艺机型最高温度可达 2000℃，满足 SiC 离子注入高温激活需求
• 晶圆片内温度均匀性≤±1℃，片间均匀性≤±1℃，保证退火一致性
• 配备 MFC 质量流量控制器，气体流量控制精度±1%F.S.
• 石英管/SiC 管工艺腔设计，金属污染≤1×10¹⁰atoms/cm²
• 配备 Load-Lock 预抽室，避免晶圆进出过程氧化，减少腔室气氛波动

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶圆尺寸	4 英寸、6 英寸、8 英寸
炉管型温度范围	300-2000℃
最大升温速率	100℃/min
最大降温速率	50℃/min
温度均匀性	≤±1% 设定温度（片内）
恒温区长度	400-800mm（炉管型）
单批处理量	炉管型：25~150 片/批
气氛控制	N₂、Ar、H₂、Forming Gas 等，多路 MFC 控制
工艺重复性	方块电阻不均匀性≤1.5%
氧含量控制	≤1ppm（工艺状态下）