主要技术特点

• 多工艺兼容：支持 VGF、VB、VGF-VB 复合工艺，适配 GaAs、CdZnTe、GaSb 等多种材料
• 6 区独立控温，可精确编程控制轴向与径向温度梯度，适配不同材料生长需求
• 砷化镓生长无需高压，降低设备成本与运行风险
• 氧化硼液封与砷/镉蒸气压原位控制技术，有效抑制组元挥发与熔体化学计量比偏离
• 程序退火功能，生长完成后可原位退火，显著降低晶体热应力与位错
• 针对 CdZnTe 材料特殊设计低梯度温场，生长界面温度梯度可低至 2℃/cm，有效抑制 Te 夹杂

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶体	GaAs（2-6 英寸）、CdZnTe（2-4 英寸）、GaSb 等
最高工作温度	1350℃
控温精度	±0.1℃
温区数量	6 区
工作压力	常压（标准型）
恒温区长度	≥300mm
GaAs 单晶位错密度	≤500cm⁻²（6 英寸半绝缘 LEC/VGF）
CdZnTe 单晶位错密度	≤5×10⁴cm⁻²
CdZnTe Te 夹杂尺寸	≤5μm
单晶电阻率均匀性	≤5%（6 英寸 GaAs）