摇摆多晶炉

摇摆多晶炉
摇摆多晶炉
半导体晶体设备

摇摆多晶炉

本设备是我司自主研发的化合物半导体材料合成装备,采用摇摆合成工艺:原料密封于石英安瓿中,高真空环境下升温熔化,通过炉体精密摇摆实现两相充分混合反应,最终以垂直温度梯度法(VGF)缓慢冷却,制备高纯度多晶锭。工艺具有纯度高、组分均匀、成品率高、成本低等优势,是碲锌镉多晶批量生产的理想设备。

主要技术特点

  • 高真空密封合成:全流程密闭真空环境,杜绝杂质污染,精确控制化学计量比,防止磷组分挥发
  • 炉体整体摇摆,摆动角度与频率精确可调,强化熔体混合与反应均匀性
  • 多温区精准控温:多段独立加热,PID 闭环控制,可灵活设置温场,满足合成与凝固各阶段需求
  • VGF 定向凝固:稳定温度梯度实现定向凝固,减少热应力与缺陷,晶锭组织均匀
  • 高压釜式炉体设计,最高压力可达 10MPa,安全系数高
  • 配备防爆安全阀与多重压力安全联锁系统,保障高压运行安全
  • 全自动运行:PLC 控制系统实现全流程自动化,工艺参数可追溯,具备多重安全联锁保护

核心性能指标

参数项技术指标
合成方法摇摆合成法
最高工作温度1280℃
最高压力10MPa
摇摆角度±30°,可调
摇摆频率0-10 次/分钟,可调
单炉合成量4~6kg
合成周期36-48 小时/炉
原料利用率≥98%
多晶纯度≥99.9999%(6N)
多晶密度≥4.78g/cm³(理论密度 99.5%)
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