主要技术特点

• 常压气氛合成工艺：采用常压保护气氛设计，以高纯氩气作为保护载气，抑制原料氧化、挥发，减少反应过程杂质引入，适配GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成；
• 多段分区精准控温：每个温区PID独立闭环控制，可设置梯度温度场，精准控制化合反应速率，抑制组分偏析，保证多晶锭组分均匀；
• 模块化集成结构：气路、水冷、加热、电控分区布局，维护检修便捷；开放式反应腔窗口+伸缩式石英管支撑机构，大幅降低石英舟、石英管拆装难度；
• 高洁净气路系统：采用高纯不锈钢管路+高精度质量流量计，气体流量稳定可控，配备多级气体过滤，降低颗粒杂质；尾气缓冲与处理模块，安全处理反应副产物；
• 安全联锁保护体系：集成超温、断水、气压异常、柜门互锁多重安全保护；异常工况自动切断加热、停止进气，保障高温反应工序安全运行。

核心性能指标

参数项	技术指标
适用材料	GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成
炉型结构	卧式管式炉，常压气氛
工作温度范围	RT-1250℃
温温区数量	3-6区（可定制）
控温精度	±5℃
恒温区长度	≥800~1500mm（按需选配）
工作压力	常压（微正压，0~10kPa）
保护气体	高纯 Ar（99.999% 及以上）
气体控制方式	MFC 质量流量计，多路独立供气
升温速率	0.1~5℃/min可调