主要技术特点

• 采用 VB 法工艺路线，适合大尺寸量产
• 双腔气氛控制系统，生长腔维持含氧气氛（氧气浓度 5%-50% 可调），有效抑制 Ga₂O₃高温分解
• 感应加热 + 电阻加热复合加热方式，最高工作温度 1850℃，温场均匀性好
• "上密下疏"分区式感应线圈设计，建立精确轴向温度梯度，抑制挥发物回流
• 合金坩埚与陶瓷保温材料，耐高温氧化，使用寿命长
• 上称重自动等径控制系统，结合高精度称重传感器与专用算法，实时精确控制晶体直径
• 配备晶体开裂预警与降温速率自适应程序，大幅降低大尺寸晶体开裂率

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶体尺寸	2~8 英寸β-Ga₂O₃单晶
生长工艺	垂直布里奇曼法（VB）/导模法（EFG）
最高工作温度	1850℃
控温精度	±0.1℃
温度梯度	5-20℃/cm，轴向可调
气氛控制	氧气/气/空气混合气氛，氧浓度精确可调
坩下降速度	0.1-5mm/h，精度±0.01mm/h
晶体位错密度	≤1×10⁴cm⁻²
单晶 XRD 半高宽	≤60arcsec
单晶开裂率	≤15%（4 英寸）
单炉产量	4 英寸：≥4kg/炉