主要技术特点
- 卧式/立式真空腔体设计，316L 不锈钢材质，内壁电解抛光，真空放气率低
- 分子泵 + 机械泵真空机组，极限真空度≤5×10⁻⁵Pa，抽速快，真空度高
- 多区加热与热屏蔽设计，温度均匀性好，晶圆间温差≤±3℃
- 最高烘烤温度 400℃，控温精度±1℃，可编程多段升温保温曲线
- 支持高真空、氮气气氛、氢气还原气氛等多种烘烤模式
- 配备残余气体分析仪（RGA）接口，可实时监测烘烤过程中释放的气体成分
- 水冷夹层与充气冷却系统，烘烤结束后可快速降温，缩短工艺周期
- 多层晶圆托架设计，单炉可处理 50-100 片晶圆，产能高
- 超温、断水、真空异常等多重安全联锁保护
核心性能指标
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 适用晶圆尺寸 | 2-8 英寸 |
| 极限真空度 | ≤5×10⁻⁵Pa（冷态） |
| 工作真空度 | ≤1×10⁻³Pa（烘烤状态） |
| 升压率 | ≤0.5Pa/h |
| 烘烤温度范围 | 室温 -400℃ |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 温度均匀性 | ≤±3℃（有效工作区） |
| 升温速率 | 0.5-10℃/min，可调 |
| 单炉处理量 | 50-100 片/炉（根据尺寸） |
| 烘烤周期 | 4-12 小时/炉，根据工艺 |
| 晶圆表面水含量 | ≤1×10¹⁴molecules/cm² |
| 加热方式 | 不锈钢加热管/红外加热 |
