晶圆硅片甩干机

晶圆硅片甩干机
晶圆硅片甩干机
辅助设备

晶圆硅片甩干机

立式甩干机是半导体晶圆清洗后的关键干燥设备,采用离心力 + 热氮气辅助干燥原理,可高效去除晶圆表面水分,避免水痕与颗粒污染。设备采用立式单腔/双腔结构,适用于 2-8 英寸 InP、GaAs、SiC、Si 等各类晶圆的清洗后干燥,广泛应用于晶体生长后切片、研磨、抛光、清洗等工序。

主要技术特点

  • 进口伺服电机直驱,转速范围 0-3000rpm,转速控制精度±1rpm,运行平稳振动小
  • 304/316L 不锈钢腔体,内壁电解抛光处理,Ra≤0.4μm,减少颗粒附着
  • 迷宫式轴封与氮气密封设计,有效防止轴承颗粒污染工艺腔
  • 热氮气辅助干燥系统,氮气加热温度室温 -120℃可调,干燥效率高无水印
  • 支持去离子水喷淋、氮气吹干、离心干燥多段程序自动运行
  • 可选配电阻率在线监测,实时监控冲洗水电阻率,保证清洗效果
  • 双工位设计,可同时处理两篮晶圆,提升产能
  • 全封闭安全门设计,配备门磁开关与振动监测,异常自动停机保护
  • PLC+ 触摸屏控制,可存储 50 组以上工艺配方,操作简便

核心性能指标

参数项技术指标
适用晶圆尺寸2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸、8 英寸
腔体结构单腔/双腔可选
单腔处理量25 片/篮(标准片盒)
最高转速3000rpm
转速精度±1rpm
氮气加热温度室温 -120℃,精度±2℃
干燥时间3-15 分钟/批,可调
颗粒残留≥0.2μm 颗粒≤20 颗/片
水痕缺陷率≤0.5%
晶圆破损率≤0.01%
氮气压力0.4-0.6MPa
DI 水压力0.2-0.4MPa
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