主要技术特点

• 多工艺兼容：支持VGF、VB、VGF-VB复合工艺，适配CdZnTe、GaSb等多种材料；
• 6区独立控温，可精确编程控制轴向与径向温度梯度，适配不同材料生长需求；
• 氧化硼液封与砷/镉蒸气压原位控制技术，有效抑制组元挥发与熔体化学计量比偏离；
• 程序退火功能，生长完成后可原位退火，显著降低晶体热应力与位错；
• 针对CdZnTe材料特殊设计低梯度温场，生长界面温度梯度可低至2℃/cm，有效抑制Te夹杂。

核心性能指标

参数项	技术指标
适用晶体	CdZnTe（2-4英寸）
最高工作温度	1350℃
控温精度	±0.1℃
温区数量	6区
工作压力	常压（标准型）
恒温区长度	≥300mm
位错密度	≤5×10⁴cm⁻²
夹杂尺寸	≤5μm
单晶电阻率均匀性	≤5%（6英寸GaAs）