主要技术特点
- 双线圈感应加热设计，籽晶区与原料区温度独立控制，精确调节轴向温度梯度
- 中频感应加热电源（频率 8-12kHz），功率稳定度±0.1%，热响应速度快
- 水冷炉腔，极限真空度≤5×10⁻Pa，漏率≤3×10⁻⁸Pa·m³/s
- 独立旋转与升降机构，实时调整热场分布
- 红外双色测温，温度测量精度±1℃，覆盖 1800-2500℃范围
- 智能压力控制系统，生长压力 0.5-50mbar 精确可调，压力控制精度±0.01mbar
- 可配备晶体生长实时监测系统，通过激光干涉与 CCD 观察晶体生长速率与表面形貌
- 自主研发 PIM 工艺自检系统，实时识别多晶、微管等缺陷，自动调整工艺参数
核心性能指标
| 参数项 | 技术指标 |
|---|---|
| 适用晶体尺寸 | 6 英寸、8 英寸 4H-SiC 单晶 |
| 最高工作温度 | 2500℃ |
| 常用生长温度 | 2100-2350℃ |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 极限真空度 | ≤5×10⁻⁵Pa |
| 升压率 | ≤3Pa/12h |
| 生长压力范围 | 0.5-100mbar，连续可调 |
| 轴向温度梯度 | 5-20℃/cm，可调 |
| 微管缺陷密度 | ≤0.1cm⁻²（6 英寸 N 型） |
| 位错密度（TSD） | ≤300cm⁻² |
| 单晶生长速率 | 0.1-0.3mm/h |
| 单炉生长周期 | 7-10 天 |
